今日，据美光官网消息，美光演示全球首款512GB DDR5 RDIMM内存模块，预计2027年下半年实现量产。Micron 512GB RDIMM的性能可比256GB DDR5配置高达1.4倍。AMD和英特尔都在积极验证该模块，预计其速度将达到9200MT/s。
该模块的高容量得益于美光先进的垂直互连封装技术。该产品采用垂直堆叠的方式，通过硅通孔 (TSV) 互连 DRAM 芯片，从而在保证现代数据中心架构所需性能的同时，最大限度地提高单个 DRAM 封装内的密度。该模块可在单个 24 插槽双路服务器中实现高达 12TB 的 DDR5 DRAM 容量。
