9月20日，第十一届上海FD-SOI论坛在上海举行。Racyics首席产品官Sebastian Höppner发表题为《面向22FDX的Racyics ABX自适应体偏置技术》的主旨分享，系统介绍了Racyics ABX自适应体偏置IP如何利用GlobalFoundries 22FDX的FDSOI背栅调谐能力，在运行中动态调节体偏置，收紧工艺、电压和温度（PVT）引起的速度与漏电变化，为从IoT到汽车级应用提供世界领先的能效。
Höppner介绍，Racyics成立于2009年，总部位于德国德累斯顿，并在Duisburg和Frankfurt设有研发办公室，拥有约170名混合信号设计人员，提供Turnkey ASIC设计、IP、晶圆代工接入、封装与供应链服务。
在技术层面，22FDX等FDSOI工艺允许通过背栅电压实时调谐。ABX自适应体偏置可收紧PVT角：正向体偏置（FBB）提升最坏情况速度而不增加最坏漏电，反向体偏置（RBB）则降低最坏漏电。等漏电条件下，ABX FBB在LVT36@0.5V下性能可达零体偏置的10.3倍；等性能条件下，SLVT20/SLVT36@0.5V漏电可降至0.1倍。这使0.40V超低电压运行具备可靠性和高良率。ABX RBB在ULV下可降低53%动态功耗，其单轨SRAM比代工厂ULL SRAM漏电低44%，且仅使用RVT，无需ULL掩模。
Höppner介绍，ABX平台是全集成ABB方案，包含支持独立P/N控制的硬宏、基于四角签核的实现与裕量方法，可与代工厂基础IP互操作。该方案设计独立，无需关键路径复制或设计相关监控，支持每芯片多个ABB域及RBB/FBB混合，并可与DVFS/PSO组合。其接口简单，偏置范围宽，VNW为-0.20V至+2.40V，VPW为-2.40V至+0.20V，锁定时间可低于50µs，典型功耗低至13µW。
在处理器基准中，采用Arm M4F核的ABX方案实现世界纪录CoreMark能效：FBB 0.50V LKOPT方案为100MHz、6.8µW/MHz；RBB 0.55V LKOPT方案为40MHz、6.3µW/MHz。ABX使MCU能够稳定运行于最小能量点。
面向汽车，ABX RBB在22FDX+AP150上可显著降低漏电。150°C、0.80V下，POPT方案性能为0.93倍、漏电为0.47倍；LKOPT方案性能为0.68倍、漏电为0.07倍，并可补偿老化退化。Robert Bosch已选择ABX用于其22FDX汽车产品，目前超过15家客户正在集成。
据悉，ABX IP平台覆盖中性能MEP IoT/Edge AI、FBB高性能消费与汽车、低漏电IoT音频与助听器、RBB汽车漏电受限等场景。Racyics还提供自有标准单元和存储器IP。“ABX充分释放22FDX体偏置潜力，让客户留在22FDX仍可与先进节点竞争，节省FinFET迁移成本，并支持模拟、RF与数字单芯片集成。”Höppner说道。
