AI数据中心建设仍在加速，存储芯片供应紧绷的局面尚未看到明确终点。市场人士对四季度合约价给出偏强判断：DRAM环比可能上涨约两成，NAND Flash涨幅甚至可能达到三成，供需缺口仍为负值，卖方在价格谈判中继续掌握主动。
这轮紧张并非短期现象。2023至2024年，原厂削减投资与投片，留下的供给缺口至今没有完全补上。虽然主要厂商已重新加大资本支出，但新建厂房、设备搬入、首片晶圆产出以及良率提升都要经历周期，短期内有效位元供给仍难以匹配AI带来的需求增速。
四季度中，NAND被认为价格弹性最大。大语言模型推理需要KV Cache、RAG、模型权重、checkpoint和中间数据，这些应用让NAND不再只是冷数据仓库，而开始承担AI存储层级中的角色。业者指出，AI不只让SSD出货数量变多，也推动单块SSD容量和单系统NAND搭载量上升。尽管手机、PC等消费需求转弱，原厂仍把有限产能优先投向高毛利的Enterprise SSD和AI存储。三星、SK海力士、铠侠与美光持续将产线转向高层数3D NAND、TLC/QLC及企业级SSD，MLC、SLC等成熟NAND供给因此进一步收缩。
DRAM同样没有轻松多少。HBM裸晶面积大、堆叠复杂，对晶圆、TSV、先进封装和测试资源的占用高于标准DRAM；即便投片量增加，普通DRAM能分到的有效位元仍被挤压。法人认为，到2027年，随着Server DRAM和HBM需求继续扩张，市场瓶颈将不只是投片总量，而是有限的先进DRAM晶圆如何在HBM、Server DDR5、SOCAMM和消费型DRAM之间分配。
HBM领域还出现一个值得注意的变化：头部厂商计划在新一代产品中导入更先进的逻辑工艺。这意味着存储竞争不再只是比谁产能大，也越来越取决于对先进逻辑工艺的掌握。HBM的竞争可拆成三层：一是产能消耗，HBM单位晶圆占用远高于普通DRAM，堆叠越高、良率越难，对标准DRAM挤出越明显；二是工艺门槛，新一代HBM转向更先进逻辑工艺；三是产能挤占，只要AI服务器需求不退，HBM涨价就会通过挤占效应传导至普通DRAM，带动全品类价格上行。其影响是双面的：具备逻辑工艺协同能力的头部厂商优势扩大，二线厂商追赶难度增加，行业集中度可能进一步上升。
不过，市场上也有偏谨慎的声音。群智咨询数据显示，三季度DRAM仍在涨价，但涨幅明显收窄，部分品类环比涨幅已回落至10%以内，PC终端采购趋于保守。中国机构SigmaIntel预计，四季度DRAM价格仅小幅上涨，16GB DDR4约涨6%，4GB LPDDR4X约涨5.2%。宏碁CEO陈俊圣也警告，“存储荒”不会持续太久，大陆存储产量增加预计在2027年底前后显性化，并缓解供应压力。涨价周期可能进入“高位趋缓”阶段。
从终端算力需求，到企业级SSD放量，再到产能腾挪、价格普涨和长约锁价，这条传导链已经形成。业内人士建议跟踪三个指标：四季度合约价实际落地幅度、eSSD交期能否从16周回落，以及国产存储厂商的扩产与竞争动态。需要提示的是，存储涨价的核心驱动是HBM与eSSD对普通DRAM/NAND的产能挤占，因此品类分化会很明显：高容量、服务器级产品仍紧缺，消费级可能先行走弱。
