9月29日，三星电子一位高管表示，预计明年高带宽内存（HBM）将占动态随机存取存储器（DRAM）芯片制造商晶圆总产能的近30%，高于目前的约20%。
三星电子执行副总裁Kim Taewoo指出，HBM与标准DRAM争夺相同的晶圆产能，这意味着扩大HBM产量可能会限制标准DRAM的供应。
HBM是人工智能计算的关键组件，由垂直堆叠的存储芯片构成，使处理器能够高速访问海量数据。该市场主要由韩国的SK海力士和三星电子，以及美国的美光科技主导。
三星高管：明年HBM将占DRAM行业产能近三成
来源：爱集微
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赵月
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