据报道，三星电子正计划升级其位于中国西安的工厂，目标是在今年年底前将生产线切换至286层NAND闪存，以满足AI数据中心对先进存储产品不断增长的需求。
报道援引知情人士消息称，三星西安工厂目前主要生产约200层的NAND闪存，升级后将转向V9 NAND产品。该工厂目前约占三星全球NAND闪存产量的40%。
随着AI数据中心建设持续推进，市场对高性能存储产品的需求不断增长，存储厂商正调整产能布局，将更多资源投向先进存储产品。
不过，三星在中国工厂升级设备仍面临美国出口管制限制。根据相关规定，企业在中国工厂安装美国制造的半导体设备需要获得许可，这也给生产线升级带来额外程序。
与此同时，中国存储企业也在推进技术与产能布局。长鑫存储持续发展DRAM业务，国内NAND闪存产业也在探索更先进的3D NAND技术，全球存储市场竞争持续升温。
