【编者按】作为半导体行业的年度标杆盛会，第八届IC风云榜立足产业技术迭代与国产替代的关键窗口期。本届榜单全新升级，设置70项重磅大奖，覆盖AI、具身智能、智能汽车等八大核心领域，并新增优化多项特色奖项。评委会由百余家半导体投资联盟单位及500+行业CEO组成，获奖名单将在2027半导体投资年会盛典揭晓，全力挖掘产业标杆、树立行业创新典范。
【候选企业】杭州淮瓷科技有限公司（以下简称：淮瓷科技）
【候选奖项】年度市场突破奖，年度技术突破奖
【候选产品】针栅阵列陶瓷封装外壳（CPGA）
在半导体产业链中，封装环节往往决定了芯片能否在严苛环境下长期可靠地工作。随着红外成像、光通讯、AI算力等应用对器件可靠性要求不断提升，陶瓷封装外壳作为芯片与外部世界之间的第一道屏障，其气密性、机械稳定性与热匹配能力日益成为下游客户选型的关键考量。在这一细分领域，国产化替代的需求持续存在，竞争格局也在悄然变化。
在这一赛道中，杭州淮瓷科技有限公司作为“专精特新”企业，专注高可靠陶瓷封装材料与高真空陶瓷封装测试，具备从材料到封测的一站式服务能力，获得中金、同创伟业、元禾厚望等多家知名机构投资，拥有多项权威资质认证，其产品广泛用于航空航天、AI算力、红外、具身智能、光通讯等领域，服务国内众多行业龙头企业，在高端陶瓷封装领域形成了扎实的产业影响力。
为向下游延伸布局，淮瓷科技于2026年3月控股设立杭州淮瓷微电子有限公司，聚焦传统陶瓷封装、SiP系统级封装、红外探测器传感器封装赛道，依托母公司全产业链技术制造优势，深耕高气密、高真空高端封装，提供“管壳+封装+测试”一体化定制服务，致力于成为国内领先的特种陶瓷与SiP封装解决方案提供商，助力国产半导体产业突破技术瓶颈。
围绕这一方向，淮瓷科技已形成覆盖杭州、淮安、南通的子公司网络，包括杭州淮瓷科技有限公司、江苏淮瓷科技有限公司、杭州淮瓷微电子有限公司、南通淮瓷微电子有限公司、杭州淮瓷光电有限公司，业务贯穿陶瓷封装材料、封装外壳、SiP封装、红外探测器传感器封装及光电封装等环节。产品体系涵盖氧化铝、氮化铝高温共烧多层陶瓷封装外壳和SiP封装基板、厚膜混合集成电路、陶瓷封装、SiP系统级封装以及红外探测器等传感器封装。
资质方面，淮瓷科技已获省级科技型中小企业、知识产权合规管理体系认证、杭州市企业高新技术研究开发中心、国家高新技术企业、浙江省专精特新中小企业等多项认定，为高端陶瓷封装产品的可靠交付提供体系保障。
此次，淮瓷科技凭借针栅阵列陶瓷封装外壳（CPGA）竞逐“IC风云榜”年度市场突破奖及年度技术突破奖，并成为候选企业。该奖项旨在表彰2026年度实现单款产品高销售收入或销量收入突出性高增长、在细分领域市场占有率处于领先地位、产品应用市场广泛的企业。
CPGA属于气密性陶瓷集成电路封装管壳，采用HTCC高温共烧氧化铝陶瓷制成，是非制冷红外焦平面芯片的气密封装载体。管壳内部为密闭腔体，核心作用是为MEMS微测辐射热计芯片提供稳定的高真空环境，隔绝水汽与气体，保障红外探测灵敏度。
在关键技术上，CPGA主要涉及HTCC多层陶瓷加工、陶瓷高温共烧、管壳电镀等环节，分别对应多层陶瓷的填孔、印刷、叠片和层压，烧结后的平整度、尺寸公差与内部线路电性能，以及镀金后的金丝键合、封口封帽焊接和长期可靠性。创新点方面，淮瓷科技的PGA管壳设计采用高密度排版，8寸版图排版密度较传统设计提高44%，有效提升陶瓷生产效率、降低瓷件生产成本。
性能上，CPGA为非制冷红外焦平面芯片提供高真空、低应力的气密封装环境，保障光学对准的长期准确性。围绕该产品，淮瓷科技已在陶瓷线路板连续打孔、陶瓷加工打磨、高温共烧陶瓷生瓷侧印模具、氧化铝多层陶瓷基板及其制备方法等方向形成专利布局，已申请发明专利6项（其中2项已授权）、实用新型专利4项（其中3项已授权），为核心工艺与产品迭代构筑知识产权支撑。
市场应用方面，海康微影、高德红外、睿创微纳、光智科技等国内头部红外客户目前都在大批量使用淮瓷科技CPGA管壳，用于封装其非制冷红外探测器芯片，产品应用市场广泛、客户认可度持续提升。
从材料到封测的一站式能力，从管壳到测试的一体化服务，从杭州到江苏的多点布局，淮瓷科技正以高可靠陶瓷封装与高真空封测能力，为航空航天、AI算力、红外、具身智能、光通讯等高端应用提供坚实支撑，持续助力国产半导体高端封装突破技术瓶颈。
2027半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼将于2026年12月举办，奖项申报已启动，目前征集与候选企业/机构报道正在进行，欢迎报名参与，共赴行业盛宴！
【年度市场突破奖】
“年度市场突破奖”旨在表彰2026年度实现单款产品高销售收入或销量收入突出性高增长，在细分领域市场占有率处于领先地位，产品应用市场广泛的企业。
【报名条件】
1. 深耕半导体某一细分领域，2026年企业总体营收超过1亿元人民币，或实现20%以上的增长
2. 产品具备较强市场竞争力，在细分领域占据领先的市场份额，具有完全自主知识产权
【评选标准】
1、技术或产品的主要性能和指标；（权重 30%）
2、产品的销量及市场占有率；（权重 40%）
3、企业营收情况；（权重 30%）
【年度技术突破奖】
“年度技术突破奖”奖项旨在表彰2026年度于前沿技术领域开展原始性重大技术创新，达到国际先进/领先水平，未来或产生重大经济社会效益，对于推动我国集成电路产业链自主安全可控发展发挥重大作用的企业。
【报名条件】
1、深耕半导体某一细分领域，2026年发布的新技术或产品具有原始性重大技术创新，达到国际先进/领先水平；
2、产品应用范围广，具有良好市场前景，对全球及国内半导体产业发展起到重要作用。
【评选标准】
1、技术的原始创新性50%；
2、技术或产品的主要性能和指标30%；
3、产品的市场前景及经济社会效益20%。
