南科：DRAM产业结构已转变，未来1年都乐观

记忆体大厂南科(2408)于今(23)日召开法人说明会。南科发言人李培瑛资深副总表示，依预估，第二季DRAM市场仍有2%的供应缺口，第四季将扩大至5.5%，此缺口几乎就等于一个南科的产量，他认为，DRAM需求已不再是由PC主导，产业已产生「结构性的转变」，对未来至少1年看法审慎乐观。
至于近期的价格走势，李培瑛表示，之前是现货价涨的快，现在合约价涨势也可观，第二季DRAM需求进一步成长，5月ASP仍会温和上涨，第二季是逐月上涨的趋势，虽然短期价格涨高可能会平一下，但整体趋势还会往上涨。
在产品线的部分，李培瑛表示，南科30nm 4Gb的LPDDR2低功率行动记忆体已于第一季通过客户验证，预计第二季开始量产，南科在低功率记忆体产能规划上，将呈现逐季倍数成长，瞄准中国平板电脑、智慧型手机、多功能手机及电子书等行动装置市场，预估第四季低功率产品占比可超越10%。

在产能规划上，南科第二季底30nm投片产能约占比重达2成(约1万片)，第三季提升至5成，有助于降低成本，待30nm技术到位，单位成本可较42nm降低约25%。
南科第二季位元成长率将季成长20%，2013年全年位元成长率约12%，主要来自于30nm的制程转换。全年资本支出为71亿元，主要将用于30nm制程转换，第一季已支出12.5亿元。
依Gartner预估，截至第一季，全球DRAM供应给PC/NB占比重已降至仅33%，智慧型手机占20%，伺服器记忆体占18%，消费性和其它产品占19%，平板电脑和LCD TV占10%。然而，PC/NB占DRAM消耗量快速下滑，但DRAM价格却连涨了四个月，代表产业结构已变化。