7月5日，知名半导体分析机构TechInsights举办了线上“存储半导体进展与融合挑战：DRAM和NAND”（Memory Process and Integration Challenges: DRAM & NAND）研讨会。在存储芯片领域有着30多年从业经历的高级技术分析师Jeongdong Choe博士在会上分享了DRAM和NAND前沿技术的发展以及未来可能遭遇的挑战。
日前，三星在128层单堆栈产品的容量上（从256Gb到256Gb）不断实现突破，对此，Jeongdong Choe在研讨会上表示，目前全球主要玩家在3D NAND设计上都有不同程度的创新，比如三星的COP架构，SK海力士的PUC架构，美光的CuA架构等等。
三星128层单堆栈3D NAND的核心竞争力在于单堆栈，不同于英特尔等竞争对手的多deck集成，可以在深宽比（high aspect ration）和deck与deck的对齐问题上做到最大限度的优化，在量产3D NAND闪存产品中实现了世界上最小的单元间距，显示了单堆栈技术仍有巨大的发展潜力。（校对/Aaron）
