三井化学将量产光掩模防护膜新品，支持ASML下一代EUV光刻机

日本三井化学日前宣布，即将开始量产用于最尖端光刻机的光掩模防护膜新品，以应对尖端半导体需求的增长。三井化学计划在山口县岩国大竹工厂内设置生产线，生产该公司“Pellicle”系列最新一代产品，可支持ASML下一代EUV光刻机。

据了解，光掩模防尘薄膜（pellicle）用于保护光掩模的清洁，需要高透光率以及长寿命。三井化学2023年与比利时微电子研究中心（imec）合作，将共同推进EUV碳纳米管光掩模薄膜（pellicle）技术商业化。

该产品预计年生产能力为5000张，生产线预计于2025年12月完工，但三井化学未透露投资金额。

采用碳纳米管（CNT）材料制造的薄膜，与以往产品相比，提高了强度和光的透射率，具有极高的EUV透光率（≥94%）。此外，碳纳米管颗粒还能够承受超过1kW的EUV功率，从而满足未来新一代光刻机的需求。

据了解，三井化学于1984年推出Pellicle光掩模防护膜，全球份额居首；在2022年从竞争对手旭化成取得相关业务后，三井化学几乎垄断了这类尖端产品市场。

（校对/孙乐）