随着数字化和低碳化进程的加速，氮化镓（GaN）器件因其高效率、小尺寸和高频率特性，在消费电子、数据中心、工业应用、太阳能逆变器和电动汽车等领域的需求不断增长。TrendForce集邦咨询《2023 GaN功率半导体市场分析报告》显示，全球GaN功率元件市场规模将从2022年的1.8亿美金成长到2026年的13.3亿美金，复合增长率高达65%。Yole也预测，未来五年GaN器件市场的年复合增长率（CAGR）将达到46%。
在氮化镓器件设计、制造工艺和集成技术不断进步的同时，在庞大的市场前景驱动下，近两年内氮化镓领域的并购活动频繁，多家半导体龙头公司通过收购氮化镓技术公司来加速技术整合和市场扩张。2023年10月，英飞凌成功收购GaN Systems后，通过双方研发资源的整合和应用人员的协作，产生了许多思想上的碰撞和灵感火花。双方的技术交流与合作，促进了英飞凌在氮化镓技术上的不断突破和创新，相关的产品系列迅速实现了广泛的扩展。
在慕尼黑上海电子展期间，英飞凌科技大中华区消费、计算与通讯业务市场总监程文涛和英飞凌科技大中华区消费、计算与通讯业务高级首席工程师宋清亮详细介绍了收购后取得的成效并展示了氮化镓系列的重磅新品。
收购GaN Systems，氮化镓产品、技术、市场加快扩展
英飞凌科技大中华区消费、计算与通讯业务市场总监程文涛
本着当前市场对低碳化可持续发展的需求，以及AI对能源的巨量需求。目前英飞凌在能源赛道上正在不断的加速前进。程文涛表示，加速前进的方式之一就比如通过收购GaN Systems，进而加快英飞凌氮化镓产品系列的扩展，以及对路标的演进。
程文涛指出，通过战略性并购GaN Systems，英飞凌实现了在氮化镓技术领域的显著扩张和增强，不仅丰富了英飞凌的产品线，还从多个维度加强了其在技术创新、市场竞争力和产业影响力方面的地位。
从产品先方面来看，并购后，英飞凌成功将其氮化镓产品门类，从原来的分立式功率器件（Discrete Power）和集成式功率器件（Integrated Power）两类产品扩展到五类，包括CoolGaNTM Transistor、CoolGaNTM BDS、CoolGaNTM Smart Sense、CoolGaNTM Drive和CoolGaNTM Control，覆盖了从分立器件到集成解决方案的广泛应用，满足了市场对高压和中压氮化镓应用的多样化需求。
技术能力方面来看，GaN Systems的技术积累与英飞凌在器件制造方面的优势相结合，显著提升了公司在氮化镓技术领域的研发和创新能力。这种技术融合有助于开发更高效、更可靠的氮化镓器件，满足市场对高性能半导体产品的需求。同时，英飞凌获得了氮化镓产业中最大的知识产权库之一，增强了公司的技术壁垒和市场竞争力。从更长远来看，两家公司的人才和技术团队的融合，带来了新的研发思路和创新动力，加速了产品开发和市场推广的步伐，推动了氮化镓技术的快速发展。
从技术路线和应用领域方面来看，并购使得英飞凌在氮化镓的电流型驱动和电压型驱动技术上都有所布局，为客户提供了更多的选择和灵活性。在市场和应用拓展方面，GaN Systems的客户基础和市场渠道为英飞凌带来了新的商业机会，有助于公司进一步拓宽客户群和市场覆盖，英飞凌也通过并购加速了氮化镓技术在新兴应用领域的推广，如AI服务器、电机驱动、激光雷达等。
“并购GaN Systems是英飞凌在第三代半导体材料领域战略布局的重要一步，有助于公司在数字化和低碳化趋势中占据有利地位。”程文涛强调，“随着氮化镓技术的不断成熟和应用领域的拓展，英飞凌有望在全球半导体市场中继续发挥重要作用，推动数字化和低碳化进程的发展。”
谈到近段时间以来氮化镓行业发生的多起并购，程文涛认为，大公司通常在技术演进上拥有深厚的基础，但在创新速度上可能存在局限。相比之下，小型初创公司在创新时不受传统束缚，能够推出颠覆性的产品。然而，这些创新产品需要经过市场的检验，一旦得到认可，为了加速进入市场并赢得大客户，初创公司往往需要依靠大公司的产能和平台。为此，他预计在氮化镓技术演进的过程中，未来可能还会看到更多的并购现象。这是因为并购可以作为一种有效的市场策略，帮助公司快速获取新技术、扩大市场份额或进入新的市场领域。
CoolGaNTM重磅新品亮相，迈入8英寸氮化镓时代
宋清亮分别对几大新系列产品进行了介绍。
CoolGaNTM Transistor：英飞凌专注于增强型氮化镓器件，提供电压型和电流型驱动技术。这些器件全部采用贴片封装，以保持快速材料特性，适用于高压和中压应用。
CoolGaNTM BDS：双向开关（BDS）技术是市场上的创新产品，提供了快速开关能力和双向阻断功能，适用于需要理想开关性能的拓扑结构，如T-type和Vienna结构。BDS的应用场景广泛，包括便携式设备的电池保护、大功率电池管理、电动工具、储能、光伏和服务器。
CoolGaNTM Smart Sense：这项技术通过器件内部的沟槽进行无损电流检测，避免了外部电流检测带来的噪声和效率损失。Smart Sense特别适合氮化镓材料，因其开关速度快，内部电流检测可提高应用的安全性和效率。
CoolGaNTM Drive：针对氮化镓器件的门极驱动挑战，CoolGaNTM Drive提供了集成解决方案，简化了驱动设计，提高了可靠性。这种集成驱动器允许使用与硅器件相同的偏置电压，无需调整，使得氮化镓器件的采用更为简单易用。
这些产品的推出，不仅展现了英飞凌在氮化镓技术领域的深厚积累，也预示着公司在推动行业向更高效、更小型化和更高性能方向发展的决心。随着这些创新产品的上市，英飞凌预计将引领氮化镓技术在多个领域的应用潮流，满足市场对高性能半导体器件的迫切需求。
在本届慕尼黑上海电子展上，英飞凌重点介绍了其最新推出的几款CoolGaN™系列氮化镓重磅产品。
首先是新一代高压（HV）和中压（MV）CoolGaNTM半导体器件系列。这使客户能够将氮化镓的应用范围扩大到40 V至700 V电压，进一步推动数字化和低碳化进程。在马来西亚居林和奥地利菲拉赫，这两个产品系列采用英飞凌自主研发的高性能8英寸晶圆工艺制造。英飞凌将据此扩大CoolGaNTM的优势和产能，确保其在GaN器件市场供应链的稳定性。这两个系列产品正是建立在对GaN Systems的基础之上，全新650 V G5系列适用于消费、数据中心、工业和太阳能领域的应用。该系列产品是英飞凌基于GIT的新一代高压产品。另一个采用8英寸工艺制造的全新系列是G3中压器件，覆盖了60 V、80 V、100 V和120 V的CoolGaNTM晶体管电压等级，以及40 V双向开关（BDS）器件。G3中压产品主要面向电机驱动、电信、数据中心、太阳能和消费应用。
其次是全新的CoolGaN™晶体管700 V G4产品系列。与市场上的其他氮化镓产品相比，该系列晶体管的输入和输出性能优化了20%，从而提高效率，降低功率损耗，并提供了更具成本效益的解决方案。凭借电气特性与封装的优势结合，它们能够在消费类充电器和笔记本适配器、数据中心电源、可再生能源逆变器、电池存储等众多应用中发挥出色的性能。该系列器件的特点是开启和关闭速度快且开关损耗极小。此外，凭借具有850 V业界最高瞬态电压的700 V E模式，它们能够更好地抵御用户环境中的异常情况（例如电压峰值），提高整个系统的可靠性。
