英诺赛科 VGaN 系列推出首颗 30V 新品 INV030FQ012A，再一次拓宽 VGaN 产品的电压范围。
INV030FQ012A 采用 FCQFN 4mm*6mm 封装，体积小巧，使用一颗 VGaN 即可替代传统方案中两颗共漏连接的背靠背 NMOS，降低占板面积，为系统板的小型化提供助力。该产品主要应用于过流保护，负载开关等应用场景，其超低导通电阻、宽 SOA 等特性使低损耗，耐短路冲击的优势在应用中更为显著。
产品特性
1. 双向导通能力
2. 先进的超低导通电阻低压技术
3. 超小封装体积
4. 零反向恢复充电电量
产品优势
INV030FQ012A 与传统 MOSFET 相比，具备以下优势：
1. FCQFN 4x6mm 封装，一颗 GaN 能替代两颗 MOSFET，较传统MOSFET 占板面积可缩小 50%；
2. Ron(max) 1.2mΩ，超低导通电阻，较传统 MOSFET 减少 50%；
3. 具有更宽的 SOA，鲁棒性高，能耐受短路冲击。
同时，INV030FQ012A 的封装与之前推出的 40V VGaN INN040FQ012A Pin to Pin，可直接替换，给客户更多的电压选择，更灵活地调整系统 BOM。
应用领域
1. 高边负载开关
2. 过压保护
3. 电池保护
INV030FQ012A 规格书首页
截至目前，英诺赛科已发布 VGaN 系列产品共6款，覆盖电压范围30V~100V，方便客户根据自身的产品定制选择。
VGaN 产品汇总表
新品 INV030FQ012A 当前已进入量产阶段，可通过官网查询详细产品规格书、可靠性报告、仿真模型等相关资料。如需申请样品，欢迎通过以下邮件与我们联系。jiaxinhuang@innoscience.com
