近日，西安电子科技大学集成电路学部模拟集成电路教育部重点实验室（朱樟明、刘术彬教授团队）在亚10K低温CMOS高速集成电路领域取得重要突破。在国家重大项目支持下，项目组系统研究了低温载流子冻析效应、阈值电压漂移等非理想效应，基于28nm CMOS工艺建立了低温器件修正模型，结合片内共模自校准技术，研制了12位10GS/s低温宽带模数转换器（ADC）芯片，采用16通道时序交织架构和宽带输入缓冲器，最低4K温度的信号带宽达9.2 GHz，10GS/s采样率下，信噪失真比为44.5dB，有效位数达到7.10位，高速串行接口数据率达到12.5Gbps。相关测试在外单位完成，并已通过第三方测试。
据悉，模拟集成电路教育部重点实验室将面向深空探测和量子计算应用，进一步开展低温光电探测器、低温高速模拟信号链、低温大规模量子比特阵列操控系统芯片等研究工作。
