三星电子11月18日宣布，在韩国京畿道龙仁器兴园区举行了下一代半导体研发综合体“NRD-K”的设备安装仪式。
NRD-K是三星电子为确保未来半导体技术而建造的先进研发综合体，占地面积10.9万平方米。该研发线将于2025年中期全面投入运营，到2030年总投资额将达到20万亿韩元。
NRD-K预计将配备先进的基础设施，从基础技术研究到产品开发，涵盖存储器、系统和代工等所有半导体领域。该综合体将引进高分辨率极紫外（EUV）光刻设备和新材料沉积设备等尖端生产设备，用于下一代存储器半导体开发。此外，该公司还将实施晶圆键合基础设施，将两片晶圆连接在一起，形成创新结构，在先进半导体技术中发挥关键作用。
器兴园区是三星电子开始认真开展半导体业务的标志性地点。它是半导体成功故事的发源地，于1992年开发出世界上第一个64Mb DRAM，并于1993年在存储半导体领域排名第一。
三星电子计划在其半导体业务的发源地器兴建立未来技术研究核心NRD-K，打造创新的转折点，并最大限度地发挥技术与组织之间的协同作用。器兴，被誉为韩国半导体产业的心脏，三星电子的半导体工厂周围分布着众多韩国材料、零件和设备公司。
三星电子旨在通过建立NRD-K将器兴转变为先进半导体产业生态系统的中心，并进一步扩大与合作公司的研发合作。
三星电子负责半导体业务的设备解决方案（DS）部门高管全永铉（Jeon Young-hyun）表示：“通过NRD-K，我们将建立从下一代半导体技术基础研究到产品量产的良性循环体系，大幅提高开发速度。”他还表示，“我们将在三星电子半导体业务50年历史的起点器兴奠定新的飞跃基础，创造新的100年未来。”（校对/赵月）
