三星电子在近期的业绩电话会议中宣布，其第五代HBM3E产品已于2024年第三季度大规模生产和销售，并在四季度向多家GPU厂商及数据中心供货，销售额超过上一代HBM3。此外，公司将从今年第一季度底开始向主要客户供应第五代高带宽内存“HBM3E”的改良品，并计划在下半年实现第六代高宽带内存“HBM4”的量产。

据报道，预计三星电子改良版HBM3E的供应量将从第二季度起全面增加，这与美国政府发布的尖端半导体出口管制政策有关，该政策推动了客户需求逐步转移至改良版HBM3E。尽管这可能导致HBM总需求暂缓，但对12层HBM3E的需求预计将从第二季度起迅速增加，其增速有望高于预期。因此，三星电子计划将今年全年HBM bit供应量扩至去年的两倍，以满足市场需求。

另外，此前有知情人士透露，三星电子已获准向英伟达供应其高带宽存储芯片8层HBM3E，尽管其在HBM技术方面仍然落后于SK海力士和美光科技等竞争对手，但这标志着向前迈进了一步。三星电子这些关于HBM的动作和计划，将进一步推动公司在半导体芯片领域的竞争和发展。

然而，三星电子HBM业务也面临一些挑战。该公司高管表示，2024年第四季度HBM销售额环比增长190%，但低于预期。2025年第一季度HBM收入预计将下降且需求的不确定性增强，未来需求将取决于GPU产品的供应情况以及美国出口管制措施的影响。不过，三星电子预计HBM需求将在2025年第二季度恢复增长。三星电子已设定目标，今年HBM的供应量将比去年增加一倍。此外，尽管内存和 IT 市场存在很高的不确定性，但该公司仍宣布其打算继续投资尖端内存。