凌锐半导体:SiC MOS栅氧长期可靠性 作者: 爱集微 2025-10-31 相关舆情 AI解读 生成海报 来源:凌锐半导体 #SiC MOS# #栅氧寿命# #TDDB# #E-模型# 评论 收藏 点赞 3.7w 责编: 爱集微 来源:凌锐半导体 #SiC MOS# #栅氧寿命# #TDDB# #E-模型# 收藏 点赞 分享至: 微信扫一扫分享 THE END 相关推荐 芯联动力获“2024中国汽车芯片创新成果”荣誉 极具成果创新性!瑶芯微SiC MOSFET产品获“国际先进”的高度评价 黄仁勋增持诺基亚 全球最快ADC芯片,发布! 瑞萨发布3nm汽车芯片 宇树CEO王兴兴:当前机器人技术接近10岁孩子水平,大规模应用或需3~5年 +关注 爱集微 微信: 邮箱:laoyaoba@gmail.com 12.6w文章总数 12012.5w总浏览量 最近发布 【扭亏】概伦电子2025年扭亏为盈:EDA业务提速与战略卡位并进 20小时前 【个股价值观】仕佳光子:双平台筑壁垒,1.6T突破+硅光扩产启新程 20小时前 【VIP洞察】HBM的崛起,正是AI算力穿越“内存墙”的唯一隧道? | VIP洞察周报 20小时前 【头条】三星电子员工2025年平均年薪超73万元 同比增长近20% 20小时前 【组建】字节跳动在美国组建AI团队 20小时前 获取更多内容 最新资讯 黄仁勋增持诺基亚 4小时前 全球最快ADC芯片,发布! 6小时前 瑞萨发布3nm汽车芯片 7小时前 宇树CEO王兴兴:当前机器人技术接近10岁孩子水平,大规模应用或需3~5年 7小时前 北京大学王兴军-舒浩文团队集成光子赋能光纤/无线通信(6G)取得新突破 7小时前 中国科大与泰国朱拉隆功大学合作实现碳化硅改性双空位色心的电荷态调控 7小时前