据上海松江消息，位于松江综保区的尼西半导体科技（上海）有限公司，已经建成全球首条35微米功率半导体超薄晶圆工艺及封装测试生产线。这一厚度突破让功率芯片的导通电阻和热阻大幅降低，显著提升了器件的能效与散热性能，为新能源汽车、5G基站等高功率密度应用场景提供了核心支撑，为国产器件进入高压平台、快充等市场提供了量产底座。
（来源：上海松江）
晶圆越薄，性能越好，但加工难度也直线上升。因为晶圆薄到50微米以下后，脆得像薯片，稍微受力就可能裂开。
据介绍，在加工工艺方面，尼西半导体将晶圆加工精度控制在35±1.5微米，并通过化学腐蚀技术消除92%的研磨应力损伤，使极薄晶圆的碎片率降至0.1%以内。切割环节采用定制化激光技术替代传统刀片，热影响区显著缩小，切割良率达到98.5%。
设备参数显示，产线研磨机加工精度达0.1微米，片内厚度偏差小于2微米；激光切割机切缝宽度仅11微米，相较传统工艺可提升约10%的芯片有效面积利用率。
芯片做薄了，好处直接体现在电和热上。载流子跑通芯片的时间缩短40%，发热量下降，导通损耗就少了。热阻比100微米的标准品下降60%，相当于给芯片装上了更好的散热片。封装环节也跟着受益——可以做双面散热，模块热阻再降30%，功率循环寿命翻了5倍。
而应用端测算表明，同等晶圆面积下芯片产出量增加20%，可使手机快充模块体积缩减一半，并为电动汽车电控单元减重3公斤。
目前，该产线测试环节单日产能可达12万颗成品，键合机单日产能约400片。产线中的键合、研磨、切割及解键合等核心装备，均由尼西半导体与国内设备厂商联合研发，在协同创新中实现了关键设备的自主可控，填补了国内相关制造领域的应用空白。
