中国·苏州，2026年3月13日 —— 英诺赛科（HKEX:02577.HK），一家致力于打造高性能、高性价比硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 功率半导体产品的全球制造领导者，作出如下通告：美国海关与边境保护局（CBP）就英诺赛科与EPC的涉案流程所作出的裁定再次确认了英诺赛科的新一代半导体产品不受有限排除令（LEO）的限制，该有限排除令由ITC于337-TA-1366案中发布。美国CBP的裁定为美国市场进口英诺赛科所产的高能效、高功率密度的GaN产品清除了障碍，该产品将赋能于AI数据中心、机器人、光伏微型逆变器及电动车电源系统等领域的技术创新。
CBP裁定的发布日期为2026年2月20日，公开版本的报告可点击此处查看。
案件背景： 2023年5月，EPC发起针对英诺赛科的诉讼，指控英诺赛科侵犯了EPC的美国专利第8,350,294号专利（US'294）以及其它3项美国专利（总计4项涉案专利）。在随后的案件调查阶段，EPC撤回了其中两项专利的指控和针对第三项专利的指控，美国国际贸易委员会（ITC）裁定英诺赛科不侵权。随后，美国专利商标局（US PTO）发布最终裁决，宣布US'294专利的全部12项权利要求无效，这再次表明EPC发起对英诺赛科的不实指控已全部丧失权利基础。
该有限排除令目前仅适用于英诺赛科所产的旧款氮化镓（GaN）芯片，重点强调的是：即便采用这些旧款氮化镓GaN产品，该有限排除令对于产品的PCBA在美国境外完成后才进入到美国市场的电源产品客户无任何影响。
现阶段，ITC的裁定及USPTO关于US’294专利无效的最终决定均处于上诉程序中。美国联邦巡回上诉法院后续发布的推翻ITC裁决的结果或者维持USPTO关于该专利无效的决定都将使该有限排除令被永久撤销。
特此说明：自2026年2月20日起，英诺赛科在美国境内开展新一代产品（产品型号含“AD”后缀）的制造、使用、销售、许诺销售及进口等相关业务不受任何限制。
英诺赛科认同美国海关与边境保护局（CBP）的裁定并认为该裁定的影响对我们的客户以及整个氮化镓（GaN）行业都是积极的。该裁定再次验证了英诺赛科先进技术的法律正当性，同时也印证了英诺赛科致力于为客户提供可靠、高性能、高性价比的氮化镓产品的承诺。
