当前芯片行业正面临摩尔定律逼近物理极限的挑战，后摩尔时代亟需通过材料与架构创新来突破算力瓶颈。二维半导体材料是否有望成为延续集成电路性能增长的关键？
在近日举行的2026新紫光集团创新峰会上，中国科学院院士张跃表示传统硅基芯片的发展速度已无法匹配人工智能对算力的爆发式需求。随着制程不断微缩，硅材料在厚度接近1nm时迁移率几乎归零。为此，行业需要开辟新赛道，而二维半导体材料展现出四大先天优势。
第一，材料厚度仅0.65nm，且迁移率与块体硅相当，突破了硅基的物理厚度极限。第二，晶体管栅极长度极限可缩至8nm，较硅基的12nm更进一步，实测显示同制程下功耗可降至硅基的五十分之一，算力提升六倍。第三，二维半导体材料可沿用现有硅基芯片的全套工艺与设备，兼容性极强。第四，借助低能耗物理转移技术，可实现三维堆叠集成，与硅基器件优势互补。
张跃透露，其团队已在晶圆级材料制备、高性能器件及硅基兼容集成技术等方面验证了该路线的可行性，正全力推动工程化与产业化。他同时指出，全球各国政府及头部企业均在积极布局这一新赛道，而我国在基础研究领域已取得多项突破，处于国际领跑与并跑的地位。
