澜昆微将亮相IICIE国际集成电路创新博览会,展示高带宽硅光互连技术创新成果

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9月9日至11日,IICIE国际集成电路创新博览会将在深圳国际会展中心举行。上海澜昆微电子科技有限公司(以下简称“澜昆微”)将携WDM微环光I/O芯片、线性直驱CPO芯片及光互连交换卡/计算卡等产品和解决方案亮相14B62展位,集中展示其面向AI算力中心Scale-up(纵向扩展)场景的硅光互连技术与产品布局。

随着万亿参数AI大模型持续发展,算力集群规模不断扩大,芯片之间、计算卡之间以及机柜内部的数据交换需求快速增长,传统电互连在传输距离、带宽密度、功耗和时延等方面面临新的挑战,光互连技术也正由Scale-out(横向扩展)场景逐步向Scale-up场景延伸。

上海澜昆微电子科技有限公司是专注于光电集成光互连芯片的创新型企业,创始团队源自清华大学、中国科学院和海内外知名企业,深耕相关领域十余年,拥有硅光器件到集成电路全栈自研能力和产业经验。公司聚焦算力互连(scale-up)赛道,重点研发高带宽光接口(OIO)芯片及芯粒集成方案,产品同时覆盖NPO/CPO核心芯片和模块小型化方案。通过与国内头部计算、交换芯片和整机企业的深度合作,为大规模AI算力中心提供差异化、高性能和可量产的解决方案。

围绕AI算力Scale-up扩张面临的互连瓶颈,澜昆微重点布局光电协同设计、微环调制器件和多波长复用技术:通过缩短电互连距离,实现高速信号的高效光电转换;基于微环调制器等核心器件,提高光互连密度并降低功耗;利用WDM多波长复用技术提升单纤传输带宽,推动Tb/s级光互连扩展。通过与国内头部计算芯片、交换芯片及整机企业深度合作,澜昆微致力于为大规模AI算力中心提供差异化、高性能、可量产的解决方案。

本届展会上,澜昆微将展示国内首个符合OCI标准的WDM微环光I/O芯片。该产品单片集成大规模微环谐振型集成光路和驱动控制等集成电路,通过单纤8波长复用实现单片光电集成下的多端口超高带宽。该产品与国内头部GPU芯片协同设计并直接对接高密度UCIe接口,为算力芯片之间的高带宽、低延迟、高能效Scale-up互连提供支持。

同步展出的线性直驱CPO芯片面向交换机出光场景,采用微环收发器件与驱动放大电路协同3D堆叠集成,通过线性直驱通道实现单片Tbps级带宽,可对接交换芯片或算力芯片的SERDES接口,进一步提升高速率互连下的信号完整性。

澜昆微还将带来采用自研NPO/CPO芯片及集成方案的光互连交换卡/计算卡。其单卡总带宽最高可达6.4Tb/s,可替代可插拔光模块实现卡间光互连。目前,澜昆微正联合Samtec、立讯精密、沐创集成电路等伙伴推进产业生态合作,加快光互连方案在计算及交换应用落地。

展会期间,澜昆微首席执行官董晶晶还将于9月10日下午出席“AI算力时代硅光产业峰会”,并发表题为“高密度AI计算光互连”的主题演讲,介绍公司全产品线规划和业务进展。

随着光互连技术由Scale-out向Scale-up领域加速延伸,业界正在推动光互连方案由传统可插拔光模块向NPO及CPO/OIO持续演进。围绕计算场景对高带宽密度、高能效和低时延的需求,董晶晶将结合澜昆微的技术探索与产业实践,重点介绍并探讨其中光电集成与高带宽密度的演进趋势。

本届IICIE以“跨界融合·全链协同,共筑特色芯生态”为主题,将全面呈现芯片设计、晶圆制造、封装测试、核心设备、关键材料及核心零部件等集成电路全产业链生态。展会还将与CIOE中国光博会、elexcon深圳国际电子展同期同地举行,三展总展示面积达32万平方米,参展企业超过5000家。

9月9日至11日,澜昆微诚邀产业伙伴、行业专家及广大观众莅临深圳国际会展中心14号馆14B62展位,近距离了解高带宽硅光互连芯片及解决方案,共同探讨AI算力时代光互连技术的发展机遇。



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