8月26日–28日，亚洲极具影响力的电力电子行业盛会PCIM Asia 2026在深圳国际会展中心圆满举办。展会深度联动AI算力、新能源汽车、高端智造产业集群，聚焦功率半导体前沿技术与产业化落地，为上下游搭建高效的技术交流与商务对接平台。
作为全球氮化镓创新领导者，英诺赛科携全系列自研氮化镓产品（15V-1200V GaN、双向V-GaN、合封氮化镓SolidGaN及自研驱动IC），适配AI数据中心、新能源汽车、机器人与家电电机驱动等多个核心应用方案重磅亮相，赋能高功率、高频、高能效场景，持续加速氮化镓技术在高端电力电子场景的规模化渗透。
聚焦AI数据中心：深耕800V HVDC架构，打造高效绿色算力底座
伴随AI大模型与超算算力高速迭代，单机柜功率迈向兆瓦级，800V高压直流供电架构已成为数据中心节能升级的核心趋势，也对功率器件的开关频率、转换效率、散热性能提出严苛要求。
本次展会，英诺赛科重点展出全链路800V HVDC数据中心供电解决方案，覆盖前端PFC、高压DC-DC、板载多相Buck全功率链路，可全面适配新一代AI服务器与超算供电需求。其中，12kW 800V-50V高压直流变换方案在展会上受到最多关注，该方案峰值效率达98.63%，满载效率98.18%，原生支持水冷散热设计，可完美匹配AI机房高密度、低能耗、易散热的建设需求。
同时，现场同步展示5.5kW TCM PFC、4.2kW高可靠性PSU、8kW 16相PDB多相Buck等全链路方案，依托英诺赛科氮化镓高频高效、低损耗的特性，有效精简系统拓扑、降低损耗、提升功率密度，为数据中心绿色低碳升级提供坚实的芯片级技术支撑。
展会同期，英诺赛科高压氮化镓产品部负责人林逸铭在「GaN for Physical AI」专题论坛发表《迈向MHz，氮化镓开启AI电源新时代》主题演讲。他深度剖析了AI算力电源高频化、小型化的发展趋势，指出传统硅基器件已难以支撑MHz级高频供电架构，而英诺赛科氮化镓器件结合先进封装技术，可实现MHz级稳定开关，彻底适配新一代800V HVDC算力电源的迭代需求，为行业提供可落地、可量产的最优技术路径。
赋能新能源汽车：双向V-GaN重构车载电源，实现性能全面突破
在新能源汽车全面高压化、轻量化的发展浪潮下，车载充电机、电源转换系统对器件集成度、能效与成本控制的要求持续升级。英诺赛科本次重点展示基于双向V-GaN技术的6.6kW单级OBC车载充电机方案，以单颗双向氮化镓器件替代传统两颗背靠背硅基器件，大幅简化系统电路结构。相较于行业主流两级架构方案，该方案可实现整机效率提升1%以上、功率密度提升50%、系统成本降低10%，在能效、体积、成本三大核心维度实现全面优势。
革新高端电机驱动：低压GaN助力机器人与家电高效节能升级
电机驱动是工业智造与家用电器的能耗核心，也是氮化镓技术替代传统硅器件的关键赛道。依托自主研发的氮化镓器件+专用驱动IC组合，英诺赛科打造适配机器人、白色家电的全套高效电机驱动解决方案，大幅降低系统损耗，提升设备响应速度与集成度。在人形机器人与工业伺服场景，英诺赛科带来48V/25A关节电机驱动、72V/200A大功率伺服电机驱动方案。方案凭借低压GaN高频低损的特性，有效降低电机工作损耗，提升系统响应速度与载重性能，同时助力驱动模块小型化，高度适配人形机器人、自动化设备的高端智造需求。
在家用节能电器领域，推出310V/300W高效电机驱动方案，相较传统硅基方案整机损耗降低50%以上，可实现无散热器极简设计，大幅缩减整机体积与物料成本，可广泛适配冰箱压缩机、油烟机、循环水泵、变频家电等主流场景，为家电行业全域节能升级提供全新解决方案。
本次PCIM Asia 2026，英诺赛科以AI算力、车载、高端电机驱动三大应用为核心，全方位展示氮化镓技术的优势及成果。未来，英诺赛科将持续创新与迭代，联动上下游产业链生态，共同聚焦高功率、高频化、高效率核心应用，加速渗透，推动氮化镓技术在全球高端电力电子市场实现规模化领跑。
