10 月 22 日，中微半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称“中微公司”）宣布，Primo Domingo®气相高选择性刻蚀设备全球首台机，已付运国内重要集成电路研发制造客户。
芯片架构三维化已成为支撑芯片持续微缩的核心方向，而高选择性刻蚀是三维器件制造的核心工艺。该工艺的技术难点在于精准刻蚀目标材料的同时，最大限度保护周边薄膜不受损伤，并保证整片晶圆刻蚀均匀性与工艺重复性。Primo Domingo®围绕上述工艺需求定制开发，采用全对称腔体与优化流场设计，对气体注入、温控、压力调控等模块做一体化协同，保障晶圆刻蚀均匀稳定。独特集成气柜设计缩短气体输送路径，实现脉冲气体的高精度快速调控，进一步强化刻蚀性能；管路配套高抗腐蚀材质与特种涂层，适配高活性工艺气体，支撑设备长期稳定运行。
同时，Primo Domingo®搭载双制冷/双加热晶圆基座，支持宽区间精准控温；设备沿用成熟量产的 Primo C6V3 传输平台，可灵活搭配主刻蚀腔、退火辅助腔，适配多元化刻蚀场景。目前，中微公司刻蚀设备已覆盖 65 纳米至 3 纳米及以下先进制程，可满足存储器各类超高深宽比刻蚀需求：介质刻蚀可达 60:1、90:1，硅刻蚀最高至 140:1，工艺指标达到国际一流水准。
截至当前，中微公司累计推出 54 款高端半导体设备，包含 26 款 CCP/ICP 等离子体刻蚀机（单反应台、双反应台独立机型），以及 24 款薄膜、CMP、先进封装、光学量测设备，覆盖 MOCVD、PECVD、LPCVD、ALD、外延等品类。截至 2026 年 6 月末，公司已有超 8,800 个反应台落地，在海内外 220 余条产线实现量产应用。
中微公司资深副总裁丛海表示，中微公司开发的一系列刻蚀设备在性能、稳定性等方面满足了客户的高标准要求，并可覆盖国内大多数的刻蚀应用需求。他同事透露，在近 3 到 5 年，公司将累计开发 102 个新设备，研发总投资近 130 亿元，所开发的设备包括集成电路前道、后道先进封装所需设备，以及泛半导体领域设备等。
