筹划近八个月的再融资终于落地关键一步。民德电子10月25日公告称，公司收到中国证监会出具的《关于同意深圳市民德电子科技股份有限公司向特定对象发行股票注册的批复》，同意公司向特定对象发行股票的注册申请。这意味着，这家以“深耕AiDC、聚焦功率半导体”为双轮驱动战略的创业板公司，即将获得不超过10亿元的资金弹药，用于核心晶圆代工产能的扩张。
募资投向明确：7亿砸向6英寸高压功率器件产线
根据此前披露的募集说明书，本次向特定对象发行募集资金总额不超过10亿元，扣除发行费用后，7亿元将投入“特色高压功率半导体器件及功率集成电路晶圆代工项目”，3亿元用于补充流动资金。项目实施主体为控股子公司广芯微电子，选址浙江丽水，计划利用现有厂房进行改造，购置生产设备与软件系统，新建6英寸功率半导体晶圆代工产线。
项目建成达产后，预计新增月产能6万片，重点聚焦高压、大功率应用场景，投产IGBT、特高压VDMOS及700V高压BCD等产品，主要匹配AI数据中心大功率电源、特高压电力设施、光储及工业逆变器、汽车电子等下游领域的需求。这一产品定位与民德电子现有的以高能效二极管、MOSFET为主的产品结构形成互补，旨在补齐公司在高压大功率器件领域的产品线短板。
产能瓶颈亟待突破，广芯微爬坡势头正劲
从广芯微电子的经营节奏看，扩产需求确实迫在眉睫。广芯微产出已从2025年初的6000片/月快速提升至2025年末的4万片/月，2025年及2026年上半年产能利用率分别达到79.52%和83.05%。但公司坦承，当前产能规模较小，既难以形成显著的规模成本优势，也制约了承接下游优质客户订单的能力。
订单端的信号同样积极。截至2026年6月末，公司晶圆代工业务在手订单合计15.21万片，金额5699.56万元，现有在手订单的排产消化周期预计达6个月以上。更值得关注的是，客户对本次募投项目拟投产的IGBT、特高压VDMOS及700V高压BCD的明确意向需求合计已达7.30万片/月，其中IGBT意向需求3万片/月、特高压VDMOS 3.3万片/月、700V高压BCD 1万片/月。虽然IGBT和700V BCD尚处于客户流片及导入阶段，但意向需求规模已能在相当程度上匹配新增产能。
踩准行业景气节点，涨价与扩产同步推进
民德电子此次定增获批的时机，恰逢功率半导体行业进入新一轮景气周期。2025年底以来，国内成熟制程晶圆厂基本处于满产状态，2026年一季度起陆续上调价格。民德电子旗下广芯微电子自2026年6月起对代工价格上调10%至20%，参股硅片企业晶睿电子亦于7月跟涨15%。行业层面，AI数据中心、光储、新能源汽车三大需求同时放量，主流功率半导体交期已普遍拉长至30周以上，部分高压器件甚至更长，销售端从“涨价”演变为“涨价+缺货”并存的局面。
供给端的约束同样构成扩产逻辑的支撑。台积电、三星等海外大厂持续削减6英寸、8英寸成熟制程产能，将资源投向先进制程；国内规模较大的晶圆厂近两年扩产也主要面向先进制程，功率半导体晶圆产能的新建与扩产相对有限。在供需两端多重因素作用下，功率半导体的紧张格局短期内难以缓解，这为广芯微的产能扩张提供了明确的窗口期。
财务承压下的关键一搏
从财务数据看，民德电子正处于投入期的阵痛阶段。2026年上半年，公司实现营业收入1.51亿元，同比增长15.93%，但归母净利润为-5242.09万元，亏损同比扩大。主要原因在于广芯微电子整体产出规模仍较小，虽收入大幅增长，但固定资产折旧摊销及人员等固定成本增加，导致其仍处于亏损状态；同时母公司AiDC业务收入下降，进一步拖累了整体盈利表现。
在此背景下，10亿元定增的落地对公司意义重大。一方面，7亿元募投项目资金将直接缓解广芯微扩产面临的资金压力，避免以高成本自筹资金强行推进；另一方面，3亿元补流资金有助于改善公司资产负债结构，为功率半导体这一资金密集型业务的持续投入提供缓冲。民德电子在公告中也坦承，募投项目需要经过一定时间才能体现经济效益，短期内每股收益等指标存在摊薄风险，但随着项目有序推进，公司未来的盈利能力和经营业绩有望得到提升。
