• 行业咨询
  • 品牌营销
  • 集微资讯
  • 知识产权
  • 集微职场
  • 集微投融资
  • 集微企业库
搜索
爱集微APP下载

扫码下载APP

爱集微APP扫码下载
集微logo
资讯集微报告舆情JiweiGPT企业洞察
2025第九届集微半导体大会集微视频
登录登录
bg_img
search_logo
大家都在搜

泰科天润“一种沟槽型和JFET集成四沟道的碳化硅器件的制造方法”专利获授权

作者: 爱集微 2024-06-22
相关舆情 AI解读 生成海报
来源:爱集微 #泰科天润半导体# #泰科天润#
2.2w

天眼查显示,泰科天润半导体科技(北京)有限公司近日取得一项名为“一种沟槽型和JFET集成四沟道的碳化硅器件的制造方法”的专利,授权公告号为CN117995686B,授权公告日为2024年6月14日,申请日为2024年4月2日。

本发明提供了一种沟槽型和JFET集成四沟道的碳化硅器件的制造方法,包括:在碳化硅衬底的一侧面淀积金属,形成漏极金属层,在碳化硅衬底另一侧面淀积生长,形成漂移层;淀积阻挡层,对阻挡层,离子注入,分别形成阱区、JFET控制区以及源区;去除原阻挡层,重新形成阻挡层,刻蚀阻挡层以及阱区,之后进行淀积,形成栅极介质层、第二栅极金属层、第一栅极金属层;去除原阻挡层,重新形成阻挡层,刻蚀形成通孔,通过通孔淀积金属,形成源极金属层,能实现器件的快速开启。

责编: 赵碧莹
来源:爱集微 #泰科天润半导体# #泰科天润#
分享至:
THE END

*此内容为集微网原创,著作权归集微网所有,爱集微,爱原创

相关推荐
  • 泰科天润“一种低反向恢复干扰平面栅VDMOS及其制备方法”专利公布

  • 泰科天润“一种超结快恢复平面栅碳化硅VDMOS及其制备方法”专利公布

  • 泰科天润“一种高可靠平面栅碳化硅VDMOS及其制备方法”专利公布

  • 泰科天润“一种低导通电阻三栅纵向碳化硅MOSFET”专利获授权

  • 泰科天润“一种分离平面栅低阻碳化硅VDMOS的制备方法”专利公布

  • 泸州老窖跨界投资,泰科天润获新加持

评论

文明上网理性发言,请遵守新闻评论服务协议

登录参与评论

0/1000

提交内容
    没有更多评论
爱集微

微信:

邮箱:laoyaoba@gmail.com


11.6w文章总数
12012.5w总浏览量
最近发布
  • 组团参观 | 5人即成团,开启半导体全产业链探索之旅!

    4小时前

  • 汇顶科技总裁柳玉平涉嫌内幕交易被立案

    6小时前

  • 中国上半年并购额升45% PwC料全年两位数增长

    8小时前

  • 应对AI智能眼镜低功耗设计挑战,引爆下一代智能终端新纪元

    9小时前

  • AI时代,如何实现方寸之间的热管理革命?

    12小时前

最新资讯
  • 比利时微电子研究中心与根特大学突破3D DRAM技术瓶颈

    3小时前

  • 特朗普拯救了英特尔吗?并没有

    3小时前

  • Lyten收购Northvolt资产 欲成欧洲电池新领军

    3小时前

  • 英特尔警告称美国持股可能损害国际销售和未来拨款

    3小时前

  • 组团参观 | 5人即成团,开启半导体全产业链探索之旅!

    4小时前

  • 汇顶科技总裁柳玉平涉嫌内幕交易被立案

    6小时前

关闭
加载

PDF 加载中...

集微logo
网站首页 版权声明 集微招聘 联系我们 网站地图 关于我们 商务合作 rss订阅

联系电话:

0592-6892326

新闻投稿:

laoyaoba@gmail.com

商务合作:

chenhao@ijiwei.com

问题反馈:

1574400753 (QQ)

集微官方微信

官方微信

集微官方微博

官方微博

集微app

APP下载

Copyright 2007-2023©IJiWei.com™Inc.All rights reserved | 闽ICP备17032949号

闽公网安备 35020502000344号