天眼查显示，北京北方华创微电子装备有限公司“形成沟槽结构、去除沟槽内副产物方法及晶片承载装置”专利公布，申请公布日为2024年8月26日，申请公布号为CN119132945A。
本申请公开一种形成沟槽结构、去除沟槽内副产物方法及晶片承载装置，其中晶片承载装置包括至少一个用于承载晶片的晶片槽，各个所述晶片槽的底面为相对于水平面的倾斜面，将具有沟槽图案的晶片放置在上述晶片承载装置后传入工艺腔室，使晶片在工艺腔室处于倾斜状态，沟槽的一侧侧壁可以面向射入的刻蚀气体，刻蚀气体与该侧侧壁之间的接触面积变大，对晶片进行第一刻蚀时，可以有效去除沟槽中该侧侧壁上的副产物，再将晶片旋转预设角度，使沟槽的另一侧侧壁向射入的刻蚀气体，对晶片进行第二刻蚀时，可以有效去除沟槽另一侧侧壁上的副产物，上述两次刻蚀可以减小在刻蚀形成沟槽的过程中在沟槽侧壁上所形成的条纹凸起的高度差，有效降低沟槽侧壁的粗糙度，还可以弱化沟槽底部的微凹槽缺陷。
