3月25日,在SEMICON异构集成(先进封装)国际会议上,青禾晶元创始人兼董事长母凤文博士发表了题为《半导体先进键合集成技术:创新驱动下的应用突破与产业升级》的主题演讲,向全球产业界展示了中国半导体企业在键合技术领域的最新突破,并深入阐述了键合技术如何成为推动半导体产业跨越式发展的关键力量。
3月25日,在SEMICON异构集成(先进封装)国际会议上,青禾晶元创始人兼董事长母凤文博士发表了题为《半导体先进键合集成技术:创新驱动下的应用突破与产业升级》的主题演讲,向全球产业界展示了中国半导体企业在键合技术领域的最新突破,并深入阐述了键合技术如何成为推动半导体产业跨越式发展的关键力量。
母凤文博士分享现场
作为半导体制造的核心工艺之一,键合技术正在推动行业进入"第三波材料技术浪潮"。母凤文博士在演讲中强调,随着摩尔定律逼近物理极限,通过异质材料融合和三维集成实现性能突破,已成为全球半导体产业的重要发展方向。
技术突破,破解产业难题
在技术分享环节,母凤文博士详细介绍了青禾晶元在超高真空室温键合领域的创新成果。这项突破性技术和传统技术相比有非常明显的优势,主要是无反应层、没有升降温可以实现高精度、高产出,实现了SiC、GaN等宽禁带半导体材料的无损集成。为客户带来显著的成本优势。
在三维集成领域,母凤文博士重点介绍了青禾晶元全球首创独立研发的C2W/W2W双模混合键合设备。该设备完美解决了HBM内存堆叠中的互连瓶颈问题,为3D IC设计提供了更灵活的解决方案。母凤文博士指出:"在HBM4要求的720微米厚度内实现16层DRAM堆叠,必须采用混合键合技术替代传统bump工艺。"
在POI衬底代加工方面,室温键合技术成功实现了LT(钽酸锂)与硅、蓝宝石等材料的可靠结合,有效避免了热应力问题。这项创新为5G射频器件提供了关键服务支持,已获得行业领先客户的认可。
临时键合技术取得重要进展,无机物方案可耐受1000℃高温,厚度控制精度达亚微米级。相比传统有机物方案,该技术更适合存储器、CIS等器件的超薄晶圆加工需求。
演讲最后,母凤文博士展望了键合技术的未来:"随着AI、自动驾驶等新兴应用的爆发,对异质集成的需求将呈现指数级增长。青禾晶元将继续加大研发投入,与全球合作伙伴共同推动半导体产业的技术革新。"
关于青禾晶元
青禾晶元半导体科技(集团)有限责任公司是中国半导体键合集成技术的高新技术企业。公司核心业务涵盖高端键合装备研发制造与精密键合工艺代工,技术广泛应用于先进封装、半导体器件制造、晶圆级异质材料集成及MEMS传感器等前沿领域,通过“装备制造+工艺服务”双轮驱动,构建全产业链解决方案,已成功开发四大自主知识产权产品矩阵:超高真空常温键合系统、混合键合设备、热压键合装备及配套工艺服务。通过持续技术创新,公司致力于为全球半导体产业链提供高精度、工艺稳定、高性价比的键合装备与方案,助力战略新兴产业崛起。
青禾晶元诚邀您莅临SEMICON上海新国际博览中心N2-2235展馆,共谋产业发展。
评论
文明上网理性发言,请遵守新闻评论服务协议
登录参与评论
0/1000