以色列，米格达勒埃梅克，2025年7月8日——高价值模拟半导体解决方案代工厂商 Tower Semiconductor（纳斯达克股票代码：TSEM）今日宣布，其与pSemi联合发表的论文《采用PCM射频开关与集成CMOS驱动器的0-110GHz低损耗宽带SPDT设计》荣获2025年IEEE国际微波研讨会（IMS）行业论文竞赛大奖。该论文于2025年6月19日在IMS“创新射频开关、变容二极管及调制器技术”专题会议上发表，并斩获该类别最佳论文奖。

该奖项是对Tower Semiconductor相变材料（PCM）射频开关技术的认可，这是射频开关领域的一项重大创新突破。该技术实现了多项性能指标的出色组合：带宽（DC-110 GHz）、插入损耗（<2 dB）、功率处理能力（30 dBm）以及线性度（较RFSOI CMOS解决方案提升15-20 dB）。通过Tower具有竞争力的后端制程（BEOL）集成技术和集成数字控制技术，这种超低损耗宽带性能、高功率处理能力和全CMOS集成的组合方案，不仅简化了终端用户的实施难度，更为5G、未来6G、卫星通信、波束成形及毫米波应用提供了先进的电路解决方案。

“我们非常荣幸获此殊荣”，Tower Semiconductor 副总裁兼RF事业部总经理Ed Preisler博士表示，“这一成就彰显了我们推动射频前端集成技术发展、助力新一代无线设备研发的承诺，同时也体现了与pSemi等战略合作伙伴关系的强大价值。”

pSemi公司销售与市场副总裁Rodd Novak表示："能与Tower Semiconductor共同获得IMS认可，我们深感荣幸。该奖项体现了我们团队在宽带射频开关研究与设计领域不断突破技术边界的专业追求。"