海外芯片股一周动态:三星下月重启平泽P5晶圆厂建设,AMD发布高性能AI芯片

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上周,三星Q4营业利润或飙升160%,创历史新高;台积电美国厂毛利率缩水近87%;三星电子拟于明年将HBM月产能扩大50%;英伟达展示最强AI新品,宣布Rubin平台量产;英伟达通知台积电追加H200芯片产能,2026年订单已超200万颗;高通采用台积电N3X制程,效能仍不敌苹果;富士通牵手软银,日本半导体抱团研发HBM替代品。

财报与业绩

1.三星Q4营业利润或飙升160%创历史新高——芯片短缺导致内存价格大幅上涨,市场预计三星电子第四季度营业利润将增长160%。根据伦敦证券交易所集团(LSEG)的SmartEstimate估算,三星在10月至12月期间的营业利润可能达到16.9万亿韩元(117亿美元)。与去年同期的6.49万亿韩元相比,这将是自2018年第三季度以来最高的季度利润,当时的利润创下17.6万亿韩元的历史新高。由于传统芯片价格强于预期,一些分析师最近几周将三星第四季度营业利润的预期上调至超过20万亿韩元。

2.台积电美国厂毛利率缩水近87%——台积电近年来不断扩大对美投资,于亚利桑那州建设晶圆厂,然而这一扩张举措却对其利润造成了严重损害。根据最新统计资讯,台积电美国厂因两大成本居高不下,与中国台湾本地生产相比,毛利率缩水近87%。科技分析师在社交媒体平台贴出的汇总数据显示,台积电在美国生产5nm芯片的毛利率相比台湾地区大幅缩水,主要源于劳动力成本上升和晶圆折旧费用大幅增加。

投资与扩产

1.三星电子拟于明年将HBM月产能扩大50%——据报道,三星电子计划到2026年末,将HBM月产能提升至25万片晶圆(以12英寸晶圆计算),相较于目前约每月17万片的产能,增幅高达约47%。对于三星自身的业务构成而言,HBM的战略地位日益凸显。但对于扩产计划,三星官方保持谨慎态度,一位三星电子发言人表示,公司“正在评估各种方案以应对快速增长的HBM需求”,但拒绝对具体计划予以确认。

2.英伟达展示最强AI新品宣布Rubin平台量产——英伟达CEO黄仁勋5日宣布,最新Rubin平台AI芯片已进入量产,计算速度将是Blackwell平台倍数以上增长,且成本更低,亚马逊AWS、微软、Google等云端服务供应商(CSP)最快下半年导入。美国消费电子展(CES 2026)将于6日至9日举办,黄仁勋在开展前一天发表演讲。面对AI泡沫言论,黄仁勋高喊:“AI的竞赛已经开跑”,目前价值10万亿美元的传统科技市场正在大幅转型,未来都将以AI为基础进行升级,“每个人都在努力迈向下一阶段”,预期AI计算模型及市场需求仍持续爆炸性增长,使得AI基础建设市场呈现快速上升趋势,Rubin平台的问世将会替AI计算能力带来新一代标准。

市场与舆情

1.英伟达通知台积电追加H200芯片产能,2026年订单已超200万颗——消息人士透露,英伟达正竭力满足中国科技公司对其H200人工智能(AI)芯片的强劲需求,并已与晶圆代工制造商台积电接洽,以提升产能。消息人士称,英伟达2026年已累计200万颗H200芯片订单,主要来自中国大型互联网公司,预计将于2026年交付。他们表示,英伟达计划向台积电追加订购的具体数量尚不清楚。消息人士称,英伟达已要求台积电开始生产这些额外的芯片,预计将于2026年第二季度开始。

2.三星下月重启平泽P5晶圆厂建设预计2028年投产——据报道,三星计划下月恢复其位于韩国平泽工厂的先进晶圆厂P5的建设,预计将于2028年投产。该晶圆厂原计划于2024年开工,但随后暂停。三星电子及三星资产管理公司的一位消息人士表示,结构施工将在大约一到两个月内开始。三星物产和三星重工也在等待P5晶圆厂的合同。三星物产负责P1至P4的基础建设工作,而三星重工则负责P3和P4的后期建设。三星于2023年启动了P5晶圆厂的建设,但由于存储芯片市场低迷,该项目于次年暂停。

技术与合作

1.AMD发布高性能AI芯片,MI500性能提升1000倍——AMD CEO苏姿丰在拉斯维加斯举行的CES 2026消费电子展上发布了AMD多款AI芯片,其中包括先进的MI455 AI芯片。这些芯片是AMD数据中心服务器机架的组件,苏姿丰还发布了MI440X,这是MI400系列芯片的其中一个版本,专为企业内部部署而设计。着眼于OpenAI等公司的未来需求,苏姿丰还介绍了MI500芯片,并表示其性能是旧款处理器的1000倍。AMD表示,该芯片将于2027年上市。据介绍,首批搭载AMD MI400系列AI芯片的产品将于2026年推出。

2.高通采用台积电N3X制程,效能仍不敌苹果——据报导,高通旗舰款Snapdragon X2 Elite Extreme确认采用台积电3纳米N3X制程,最高配置达18核心,单核心或双核心时脉可上看5.0 GHz,整体晶体管数量约310亿颗。这也是商用芯片首度未采用台积电3奈米N3P制程。该制程为高效能运算(HPC)取向设计,相较N3P可带来约5%的效能提升。从目前公开的测试结果来看,Snapdragon X2 Elite Extreme在CPU与GPU的整体性能表现上,仍未能超越苹果M系列处理器,显示其在效能/瓦表现上仍存在差距。

3.富士通牵手软银,日本半导体抱团研发HBM替代品——日前,富士通正式官宣加入软银牵头的下一代AI内存开发项目,将与软银、英特尔及东京大学组成联盟,打造“SAIMEMORY新型内存”。据报道,此次合作聚焦大型语言模型等复杂AI计算需求,旨在突破现有存储技术瓶颈,研发兼具高性能与经济性的存储器解决方案。该项目的技术路线涵盖多重创新方向,既包括动态存储器硅梳化等压缩技术,也涉及与光子芯片的深度整合及后量子安全增强方案,其中光子芯片在生成式AI任务中的效能已被证实远超英伟达传统硅芯片,成为差异化竞争的核心亮点。

责编: 邓文标
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