在全球人工智能（AI）竞赛持续升温的背景下，存储巨头三星电子做出最终决策，计划在2026年底前将HBM月产能大幅提升约50%，核心目标是为英伟达下一代产品“HBM4”的供应铺平道路，并争夺其核心客户订单。
据报道，三星电子计划到2026年末，将HBM月产能提升至25万片晶圆（以12英寸晶圆计算），相较于目前约每月17万片的产能，增幅高达约47%。为实现这一目标，三星的投资将通过两条路径推进：一是将现有的DRAM生产线转换为HBM产线；二是在平泽P4工厂扩建新的专用生产线。半导体设备行业预计，相关核心设备采购与安装工作最早可能于2026年1月启动。
对于三星自身的业务构成而言，HBM的战略地位日益凸显。但对于扩产计划，三星官方保持谨慎态度，一位三星电子发言人表示，公司“正在评估各种方案以应对快速增长的HBM需求”，但拒绝对具体计划予以确认。
此次扩产背后，是三星在HBM市场面临的紧迫局面与重大机遇。2025年10月，英伟达正式确认将在其产品中采用三星的HBM4，该内存是计划于2026年下半年发布的英伟达下一代AI芯片“Rubin”的标配。有消息称，三星的HBM4在Rubin的测试芯片中表现优异，获得了积极评价。与此同时，全球AI投资热潮持续推高对HBM的巨量需求，市场前景极为明朗。在此背景下，三星选择提前且激进地扩张产能，旨在确保未来HBM4的供应能力，从而在争夺英伟达订单的竞争中占据主动。有行业关系人士明确指出，三星电子的此次HBM投资集中在HBM4上。
